SDRAM AS4C64M16D2A-25BIN, 1Gbit, 400MHZ, Montaje superficial, FBGA, 84 pines DDR2
- Código RS:
- 230-8437
- Nº ref. fabric.:
- AS4C64M16D2A-25BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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*precio indicativo
- Código RS:
- 230-8437
- Nº ref. fabric.:
- AS4C64M16D2A-25BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la Memoria | 1Gbit | |
| Organización | 64M x 16 pulg | |
| Clase SDRAM | DDR2 | |
| Transmisión de Datos | 400MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 16bit | |
| Ancho del Bus de Direcciones | 13bit | |
| Número de Bits de Palabra | 16bit | |
| Número de Palabras | 64 M | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | FBGA | |
| Conteo de Pines | 84 | |
| Dimensiones | 8.1 x 12.5 x 1.2mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +95 °C | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 1,9 V | |
| Ancho | 12.5mm | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 1,7 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la Memoria 1Gbit | ||
Organización 64M x 16 pulg | ||
Clase SDRAM DDR2 | ||
Transmisión de Datos 400MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 16bit | ||
Ancho del Bus de Direcciones 13bit | ||
Número de Bits de Palabra 16bit | ||
Número de Palabras 64 M | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado FBGA | ||
Conteo de Pines 84 | ||
Dimensiones 8.1 x 12.5 x 1.2mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +95 °C | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 1,9 V | ||
Ancho 12.5mm | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 1,7 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
El Alliance Memory AS4C64M16D2A es una memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de doble velocidad de datos (DDR2) CMOS de alta velocidad que contiene 1024 Mbits en una E/S de datos de 16 bits de ancho. Está configurado internamente como DRAM de 8 bancos, 8 bancos x 8MB direcciones x 16 E/S. El dispositivo está diseñado para cumplir con las características clave de DRAM DDR2, como CAS# publicado con latencia aditiva, latencia de escritura = latencia de lectura -1, ajuste de impedancia de controlador de chip (OCD) y terminación en matriz (ODT).
Compatible con la especificación de fluctuación de reloj JEDEC
Funcionamiento completamente síncrono
Velocidad de reloj rápida: 400 MHz
Reloj diferencial, CK y CK#
Estroboscopio de datos diferencial/sencillo bidireccional DQS y DQS#
8 bancos internos para operaciones simultáneas
arquitectura de recuperación previa de 4 bits
Inte
Funcionamiento completamente síncrono
Velocidad de reloj rápida: 400 MHz
Reloj diferencial, CK y CK#
Estroboscopio de datos diferencial/sencillo bidireccional DQS y DQS#
8 bancos internos para operaciones simultáneas
arquitectura de recuperación previa de 4 bits
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