Nº ref. fabric.

SDRAM AS4C128M16D2A-25BCN, 2Gbit, 400MHZ, Montaje superficial, FBGA, 84 pines DDR2

Código RS:: 230-8410
Nº ref. fabric.:: AS4C128M16D2A-25BCN
Fabricante:: Alliance Memory

SDRAM AS4C128M16D2A-25BCN, 2Gbit, 400MHZ, Montaje superficial, FBGA, 84 pines DDR2

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Código RS:: 230-8410
Nº ref. fabric.:: AS4C128M16D2A-25BCN
Fabricante:: Alliance Memory

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Alliance Memory
	Tamaño de la Memoria	2Gbit
	Organización	128M x 16 pulg
	Clase SDRAM	DDR2
	Transmisión de Datos	400MHZ
	Ancho del Bus de Datos	16bit
	Ancho del Bus de Direcciones	13bit
	Número de Bits de Palabra	16bit
	Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo	12.5ns
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Tipo de Encapsulado	FBGA
	Conteo de Pines	84
	Dimensiones	8.1 x 12.5 x 1.2mm
	Altura	1.2mm
	Longitud	8.1mm
	Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima	1,7 V
	Ancho	12.5mm
	Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento	1,9 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+85 °C
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	0 °C

	Seleccionar todo
	Marca Alliance Memory
	Tamaño de la Memoria 2Gbit
	Organización 128M x 16 pulg
	Clase SDRAM DDR2
	Transmisión de Datos 400MHZ
	Ancho del Bus de Datos 16bit
	Ancho del Bus de Direcciones 13bit
	Número de Bits de Palabra 16bit
	Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 12.5ns
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Tipo de Encapsulado FBGA
	Conteo de Pines 84
	Dimensiones 8.1 x 12.5 x 1.2mm
	Altura 1.2mm
	Longitud 8.1mm
	Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 1,7 V
	Ancho 12.5mm
	Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 1,9 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 0 °C

Datasheet - AS4C128M16D2A-25BCN

El Alliance Memory 2Gb DDR2 es una memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) CMOS de doble velocidad de datos (DDR2) que contiene 2048 Mbits en una E/S de datos de 16 bits de ancho. Está configurado internamente como DRAM de 8 bancos, 8 bancos x 16MB direcciones x 16 E/S. El dispositivo está diseñado para cumplir con las características clave de DRAM DDR2, como CAS# publicado con latencia aditiva, latencia de escritura = latencia de lectura -1, ajuste de impedancia de controlador de chip (OCD) y terminación en matriz (ODT).

8 bancos internos para operaciones simultáneas
arquitectura de recuperación previa de 4 bits
Arquitectura de canalización interna
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido

SDRAM AS4C128M16D2A-25BCN, 2Gbit, 400MHZ, Montaje superficial, FBGA, 84 pines DDR2

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