Memoria EEPROM en paralelo AT28C010E-12JU Microchip, 1Mbit, 128K x, 8bit, Paralelo, 120ns, 32 pines PLCC

La EEPROM en paralelo de 1Mbit kb Microchip AT28C010 ofrece tiempos de acceso de hasta 120ns ns con disipación de potencia de 220MW mW (440MW militares). Funciona en un rango de tensión de 4,5V V a 5,5V V. La corriente en espera CMOS no seleccionada es inferior a 200μA 300μA (militar baja). Dispone de un circuito de corrección de errores interno para mayor resistencia y retención de datos mejorada.

Tiempo de acceso de lectura rápido de 120 ns
Direcciones internas y bloqueos de datos para 128 bytes
Temporizador de control interno
Tiempo de ciclo de escritura de página máximo de 10ms
Baja disipación de potencia
Protección de datos de hardware y software
Sondeo DE DATOS para detección de fin de escritura
Resistencia estándar de 100.000 ciclos
Retención de datos de 10 años
Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS
Rango de temperaturas entre 40 °C y +85°C.
Encapsulado de portador de chip (PLCC) de plástico con cable J de 32 cables