Fotodiodo de silicio Vishay BPV10, Radiación en el infrarrojo cercano, radiación infrarroja visible, λ sensibilidad
- Código RS:
- 165-6173
- Nº ref. fabric.:
- BPV10
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Precio unitario (En una bolsa de 1000)
0,343 €
(exc. IVA)
0,415 €
(inc.IVA)
740 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*
* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.
Unidades | Por unidad | Por Bolsa** |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,343 € | 343,00 € |
| 2000 + | 0,326 € | 326,00 € |
**precio indicativo
- Código RS:
- 165-6173
- Nº ref. fabric.:
- BPV10
- Fabricante:
- Vishay
Enlaces relacionados
- Fotodiodo de silicio Vishay BPV10 radiación infrarroja visible, λ...
- Fototransistor Vishay Radiación en el infrarrojo cercano,...
- Fototransistor Vishay VEMT Radiación en el infrarrojo cercano mont. SMD, GW
- Fotodiodo de silicio Vishay λ sensibilidad máx. 565nm encapsulado...
- Fotodiodo de silicioHamamatsu λ sensibilidad máx. 960nm...
- Fotodiodo de silicio Hamamatsu λ sensibilidad máx. 800nm, encapsulado PCB
- Fotodiodo de silicio Vishay BPV10 λ sensibilidad máx. 940nm...
- Fotodiodo de silicio Vishay BPW λ sensibilidad máx. 900nm, mont....