Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Código RS:
- 279-9636
- Número de artículo Distrelec:
- 304-42-138
- Nº ref. fabric.:
- VEMD5110X01
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 279-9636
- Número de artículo Distrelec:
- 304-42-138
- Nº ref. fabric.:
- VEMD5110X01
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Espectros detectados | Radiación de infrarrojos cercanos | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 940nm | |
| Encapsulado | 5 x 4 x 0.9 mm | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 790nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1050nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 110°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | ±65 ° | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Tensión de ruptura | 20V | |
| Corriente de cortocircuito | 45μA | |
| Corriente residual | 30nA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Espectros detectados Radiación de infrarrojos cercanos | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 940nm | ||
Encapsulado 5 x 4 x 0.9 mm | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Mínima longitud de onda detectada 790nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1050nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 110°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Ángulo de media sensibilidad ±65 ° | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Tensión de ruptura 20V | ||
Corriente de cortocircuito 45μA | ||
Corriente residual 30nA | ||
- COO (País de Origen):
- MY
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