Fotodiodo APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante,

Código RS:: 177-5570
Nº ref. fabric.:: APD05-8-150-T52L
Fabricante:: OSI Optoelectronics

Fotodiodo APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante,

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Código RS:: 177-5570
Nº ref. fabric.:: APD05-8-150-T52L
Fabricante:: OSI Optoelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	Fotodiodo
	Espectros detectados	Infrarrojo
	Longitud de onda de sensibilidad máxima	800nm
	Encapsulado	TO-52
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Embalaje y empaquetado	Cinta y carrete
	Número de pines	3
	Mínima longitud de onda detectada	600nm
	Máxima longitud de onda detectada	1100nm
	Tiempo de caída típico	0.6ns
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-25°C
	Amplificado	No
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Longitud	5mm
	Altura	3.8mm
	Anchura	5mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Diámetro	5.4mm
	Ángulo de media sensibilidad	65 °
	Estándar de automoción	No
	Tiempo de subida típico	0.6ns
	Tensión de ruptura	30V
	Polaridad	Inverso
	Corriente residual	0.2nA

	Seleccionar todo
	Tipo de producto Fotodiodo
	Espectros detectados Infrarrojo
	Longitud de onda de sensibilidad máxima 800nm
	Encapsulado TO-52
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Embalaje y empaquetado Cinta y carrete
	Número de pines 3
	Mínima longitud de onda detectada 600nm
	Máxima longitud de onda detectada 1100nm
	Tiempo de caída típico 0.6ns
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C
	Amplificado No
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Longitud 5mm
	Altura 3.8mm
	Anchura 5mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Diámetro 5.4mm
	Ángulo de media sensibilidad 65 °
	Estándar de automoción No
	Tiempo de subida típico 0.6ns
	Tensión de ruptura 30V
	Polaridad Inverso
	Corriente residual 0.2nA

APD Series Silicon Avalanche Photodiode Data Sheet

COO (País de Origen):: US

Fotodiodos de avalancha de silicio OSI serie APD 8-150

La serie APD 8-150, de OSI Optoelectronics, es una familia de fotodiodos de avalancha de silicio, optimizados para funcionamiento con longitudes de onda de 800 nm. Se suministran en encapsulados metálicos herméticos con opciones de diámetro de área activa de 0,2, 0,5, 1 o 1,5 mm. Los fotodiodos de la serie APD 8-150 ofrecen ruido bajo y alta sensibilidad en los anchos de banda de hasta 1 GHz. Las aplicaciones adecuadas para los fotodiodos APD 8-150 incluyen: comunicación de fibra óptica, medidor de distancias láser y fotometría de alta velocidad.

Características de la serie APD 8-150:

Encapsulados: TO-52 y TO-5

Coeficiente de temperatura bajo: 0,45 V/°C

Alta sensibilidad

Bajo ruido

Ancho de banda alto

Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +100 °C

Fotodiodo APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante,

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Fotodiodos de avalancha de silicio OSI serie APD 8-150

Fotodiodos, OSI Optoelectronics

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