Fotodiodo OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-52 de 3

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Código RS:
848-6301
Nº ref. fabric.:
APD05-8-150-T52L
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Tipo de producto

Fotodiodo

Espectros detectados

Infrarrojo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

800nm

Encapsulado

TO-52

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Mínima longitud de onda detectada

600nm

Máxima longitud de onda detectada

1100nm

Tiempo de caída típico

0.6ns

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Amplificado

No

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

5mm

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

3.8mm

Ángulo de media sensibilidad

65 °

Diámetro

5.4mm

Tiempo de subida típico

0.6ns

Corriente residual

0.2nA

Polaridad

Inverso

Tensión de ruptura

30V

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

Fotodiodos de avalancha de silicio OSI serie APD 8-150


La serie APD 8-150, de OSI Optoelectronics, es una familia de fotodiodos de avalancha de silicio, optimizados para funcionamiento con longitudes de onda de 800 nm. Se suministran en encapsulados metálicos herméticos con opciones de diámetro de área activa de 0,2, 0,5, 1 o 1,5 mm. Los fotodiodos de la serie APD 8-150 ofrecen ruido bajo y alta sensibilidad en los anchos de banda de hasta 1 GHz. Las aplicaciones adecuadas para los fotodiodos APD 8-150 incluyen: comunicación de fibra óptica, medidor de distancias láser y fotometría de alta velocidad.

Características de la serie APD 8-150:

Encapsulados: TO-52 y TO-5

Coeficiente de temperatura bajo: 0,45 V/°C

Alta sensibilidad

Bajo ruido

Ancho de banda alto

Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +100 °C

Fotodiodos, OSI Optoelectronics


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