Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics, IR, λ sensibilidad máx. 800nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 3 pines
- Código RS:
- 848-6297
- Nº ref. fabric.:
- APD15-8-150-TO5
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
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- Código RS:
- 848-6297
- Nº ref. fabric.:
- APD15-8-150-TO5
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | OSI Optoelectronics | |
| Espectros Detectados | Infrarrojo | |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 800nm | |
| Encapsulado | TO-5 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Función de amplificador | No | |
| Número de Pines | 3 | |
| Material del Diodo | Si | |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 600nm | |
| Altura | 4.14mm | |
| Diámetro | 9.2mm | |
| Fotosensibilidad de Pico | 50A/W | |
| Polaridad | Inverso | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca OSI Optoelectronics | ||
Espectros Detectados Infrarrojo | ||
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico 800nm | ||
Encapsulado TO-5 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Función de amplificador No | ||
Número de Pines 3 | ||
Material del Diodo Si | ||
Mínima Longitud de Onda Detectada 600nm | ||
Altura 4.14mm | ||
Diámetro 9.2mm | ||
Fotosensibilidad de Pico 50A/W | ||
Polaridad Inverso | ||
- COO (País de Origen):
- US
Fotodiodos de avalancha de silicio OSI serie APD 8-150
La serie APD 8-150, de OSI Optoelectronics, es una familia de fotodiodos de avalancha de silicio, optimizados para funcionamiento con longitudes de onda de 800 nm. Se suministran en encapsulados metálicos herméticos con opciones de diámetro de área activa de 0,2, 0,5, 1 o 1,5 mm. Los fotodiodos de la serie APD 8-150 ofrecen ruido bajo y alta sensibilidad en los anchos de banda de hasta 1 GHz. Las aplicaciones adecuadas para los fotodiodos APD 8-150 incluyen: comunicación de fibra óptica, medidor de distancias láser y fotometría de alta velocidad.
Características de la serie APD 8-150:
Encapsulados: TO-52 y TO-5
Coeficiente de temperatura bajo: 0,45 V/°C
Alta sensibilidad
Bajo ruido
Ancho de banda alto
Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +100 °C
Encapsulados: TO-52 y TO-5
Coeficiente de temperatura bajo: 0,45 V/°C
Alta sensibilidad
Bajo ruido
Ancho de banda alto
Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +100 °C
Fotodiodos, OSI Optoelectronics
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