IGBT, STGB3NC120HDT4, N-Canal, 14 A, 1.200 V, D²PAK, 3-Pines 1
- Código RS:
- 151-939
- Nº ref. fabric.:
- STGB3NC120HDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 151-939
- Nº ref. fabric.:
- STGB3NC120HDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 14 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W | |
| Tipo de Encapsulado | D²PAK | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 14 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 75 W | ||
Tipo de Encapsulado D²PAK | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics presenta una excelente relación entre las bajas pérdidas de conducción y la rapidez de conmutación. Está diseñado en tecnología Power MESH combinada con diodo ultrarrápido de alta tensión.
Capacidad de alta tensión
Alta velocidad
Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave
Alta velocidad
Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave