onsemi IGBT, Tipo N-Canal, 35 A, 1200 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
- Código RS:
- 124-1406
- Nº ref. fabric.:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 124-1406
- Nº ref. fabric.:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 35A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 298W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.45V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | NPT | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 35A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 298W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.45V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie NPT | ||
Estándar de automoción No | ||
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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