onsemi IGBT, N-Canal, 35 A, 1200 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHZ
- Código RS:
- 124-1406
- Nº ref. fabric.:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (800 unidades, en bobina de 800)*
4.241,60 €
(exc. IVA)
5.132,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 5,302 € | 4.241,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-1406
- Nº ref. fabric.:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 35A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 298W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.45V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | NPT | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 35A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 298W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.45V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie NPT | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- onsemi IGBT Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Superficie, 1 MHZ
- STMicroelectronics IGBT Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Superficie, 15 ns
- onsemi AEC-Q101 IGBT 80 A TO-263, 3 pines Superficie
- onsemi IGBT 40 A TO-247, 3 pines Orificio pasante
- onsemi AEC-Q101 IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Superficie
- onsemi IGBT Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Orificio pasante
- onsemi IGBT-Ultra Parada de Campo 25 A TO-247 1 MHZ
- onsemi IGBT-Ultra Parada de Campo Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ