IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.