onsemi IGBT, HGT1S10N120BNST, Tipo N-Canal, 35 A, 1200 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

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Código RS:
807-6660
Nº ref. fabric.:
HGT1S10N120BNST
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

35A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

298W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.45V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

NPT

Estándar de automoción

No

IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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