Módulo IGBT, MII75-12A3, N-Canal, 90 A, 1200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie
- Código RS:
- 193-880
- Nº ref. fabric.:
- MII75-12A3
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
65,44 €
(exc. IVA)
79,18 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 65,44 € |
| 5 - 9 | 61,38 € |
| 10 - 24 | 59,81 € |
| 25 + | 58,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 193-880
- Nº ref. fabric.:
- MII75-12A3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 90 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Configuración | Serie | |
| Tipo de Encapsulado | Y4 M5 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 7 | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Dimensiones | 94 x 34 x 30mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 90 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Configuración Serie | ||
Tipo de Encapsulado Y4 M5 | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 7 | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Dimensiones 94 x 34 x 30mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.