Módulo IGBT, MDI75-12A3, N-Canal, 90 A, 1.200 V, Y4 M5, 7-Pines Simple

Código RS:: 168-4497
Nº ref. fabric.:: MDI75-12A3
Fabricante:: IXYS

Módulo IGBT, MDI75-12A3, N-Canal, 90 A, 1.200 V, Y4 M5, 7-Pines Simple

Precio unitario (En una caja de 6)

52,365 €

(exc. IVA)

63,362 €

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Unidades	Por unidad	Por Caja*
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Código RS:: 168-4497
Nº ref. fabric.:: MDI75-12A3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Módulos IGBT, IXYS

IGBT discretos y módulos, IXYS

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua del Colector	90 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
Tipo de Encapsulado	Y4 M5
Configuración	Único
Tipo de Montaje	Montaje en panel
Tipo de Canal	N
Conteo de Pines	7
Configuración de transistor	Simple
Dimensiones	94 x 34 x 30mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C