IXYS Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 90 A, 1200 V, Y4-M5, 7 pines Superficie, 30 kHz

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Código RS:
168-4475
Nº ref. fabric.:
MII75-12A3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

90A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

370W

Encapsulado

Y4-M5

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

7

Velocidad de conmutación

30kHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

NPT

Altura

30mm

Anchura

34 mm

Longitud

94mm

Estándar de automoción

No

Módulos IGBT, IXYS


IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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