IXYS Módulo IGBT, MII100-12A3, Tipo N-Canal, 135 A, 1200 V, Y4-M5, 7 pines Superficie, 30 kHz
- Código RS:
- 193-874
- Nº ref. fabric.:
- MII100-12A3
- Fabricante:
- IXYS
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 135A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 560W | |
| Encapsulado | Y4-M5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 7 | |
| Velocidad de conmutación | 30kHz | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | NPT | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 94mm | |
| Altura | 30mm | |
| Anchura | 34 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 135A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 560W | ||
Encapsulado Y4-M5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 7 | ||
Velocidad de conmutación 30kHz | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie NPT | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 94mm | ||
Altura 30mm | ||
Anchura 34 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.