Módulo IGBT, MII100-12A3, N-Canal, 135 A, 1200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie
- Código RS:
- 193-874
- Nº ref. fabric.:
- MII100-12A3
- Fabricante:
- IXYS
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 23/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
67,17 €
(exc. IVA)
81,28 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 67,17 € |
- Código RS:
- 193-874
- Nº ref. fabric.:
- MII100-12A3
- Fabricante:
- IXYS
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 135 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Configuración | Serie |
| Tipo de Encapsulado | Y4 M5 |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 7 |
| Configuración de transistor | Serie |
| Dimensiones | 94 x 34 x 30mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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