Infineon IGBT, IGQ120N120S7XKSA1, Tipo N-Canal, 216 A, 1200 V, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 pines Orificio pasante

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-978
Nº ref. fabric.:
IGQ120N120S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

216A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

1kW

Encapsulado

PG-TO-247-3-PLUS-N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Anchura

15.9 mm

Longitud

20.1mm

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Estándar de automoción

No

El IGBT de Infineon es un semiconductor de potencia de vanguardia diseñado para aplicaciones de alto rendimiento. Con su tecnología de trinchera avanzada, este IGBT proporciona una robustez y fiabilidad excepcionales. Capaz de resistir cortocircuitos de hasta 8 microsegundos, está diseñado para entornos exigentes como fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable. El dispositivo funciona con una tensión de emisor de colector de hasta 1.200 V y admite corrientes de colector continuas de 120 A. El rendimiento térmico mejorado se logra a través de una baja resistencia térmica, lo que lo convierte en un favorito entre los ingenieros que buscan eficiencia y rendimiento en sus diseños.

Optimizado para alta disipación térmica

Maneja cortocircuitos breves de manera fiable

Amplia controlabilidad dv/dt para mayor flexibilidad

Cumple los estándares industriales para mayor robustez

Proporciona baja tensión de saturación para mayor eficiencia

Ofrece un espectro de modelos para aplicaciones

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