IGBT, IGQ120N120S7XKSA1, N-Canal, 120 A, 1200 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3-Pines 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-978
Nº ref. fabric.:
IGQ120N120S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

120 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1 kW

Número de transistores

1

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon es un semiconductor de potencia de vanguardia diseñado para aplicaciones de alto rendimiento. Con su avanzada tecnología de zanja, este IGBT ofrece una robustez y fiabilidad excepcionales. Capaz de soportar cortocircuitos de hasta 8 microsegundos, está diseñado para entornos exigentes, como fuentes de alimentación industriales y sistemas de energías renovables. El dispositivo funciona con una tensión de colector-emisor de hasta 1.200 V y admite corrientes de colector continuas de 120 A. El rendimiento térmico mejorado se consigue mediante una baja resistencia térmica, lo que lo convierte en el favorito de los ingenieros que buscan eficiencia y rendimiento en sus diseños.

Optimizado para una alta disipación térmica
Gestiona cortocircuitos breves de forma fiable
Amplia capacidad de control dv/dt para mayor flexibilidad
Cumple las normas industriales de robustez
Baja tensión de saturación para mayor eficiencia
Ofrece una gama de modelos para aplicaciones

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