Infineon IGBT, IGQ120N120S7XKSA1, N-Canal, 216 A, 1.2 kV, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 284-978
- Nº ref. fabric.:
- IGQ120N120S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-978
- Nº ref. fabric.:
- IGQ120N120S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 216A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1.2kV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1kW | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.9mm | |
| Longitud | 20.1mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 216A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.2kV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1kW | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.9mm | ||
Longitud 20.1mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
The Infineon IGBT is a cutting edge power semiconductor designed for high performance applications. With its Advanced trench technology, this IGBT delivers exceptional ruggedness and reliability. Capable of withstanding short circuits for up to 8 microseconds, it is engineered for demanding environments such as industrial power supplies and renewable energy systems. The device operates at a collector emitter voltage of up to 1200 V and supports continuous collector currents of 120 A. Enhanced thermal performance is achieved through low thermal resistance, making it a favourite among engineers seeking efficiency and performance in their designs.
Optimized for high thermal dissipation
Handles brief short circuits reliably
Wide dv/dt controllability for flexibility
Conforms to industrial standards for robustness
Delivers low saturation voltage for efficiency
Offers a spectrum of models for applications
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