IGBT, IGQ120N120S7XKSA1, N-Canal, 120 A, 1200 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3-Pines 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-978
Nº ref. fabric.:
IGQ120N120S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

120 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

1 kW

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon es un semiconductor de potencia de vanguardia diseñado para aplicaciones de alto rendimiento. Con su tecnología de trinchera avanzada, este IGBT proporciona una robustez y fiabilidad excepcionales. Capaz de resistir cortocircuitos de hasta 8 microsegundos, está diseñado para entornos exigentes como fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable. El dispositivo funciona con una tensión de emisor de colector de hasta 1.200 V y admite corrientes de colector continuas de 120 A. El rendimiento térmico mejorado se logra a través de una baja resistencia térmica, lo que lo convierte en un favorito entre los ingenieros que buscan eficiencia y rendimiento en sus diseños.

Optimizado para alta disipación térmica

Maneja cortocircuitos breves de manera fiable

Amplia controlabilidad dv/dt para mayor flexibilidad

Cumple los estándares industriales para mayor robustez

Proporciona baja tensión de saturación para mayor eficiencia

Ofrece un espectro de modelos para aplicaciones

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