Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico

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Código RS:
110-9135
Nº ref. fabric.:
7MBR50VB-120-50
Fabricante:
Fuji Electric
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Marca

Fuji Electric

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

280 W

Configuración

Puente trifásico

Tipo de Encapsulado

M712

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

24

Configuración de transistor

Trifásico

Dimensiones

122 x 62 x 17mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Módulos IGBT de 7 paquetes, Fuji Electric


Serie V


IGBT discretos y módulos, Fuji Electric


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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