Módulo IGBT, 2MBi300VH-120-50, N-Canal, 360 A, 1.200 V, M276, 7-Pines

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Código RS:
747-1099
Nº ref. fabric.:
2MBi300VH-120-50
Fabricante:
Fuji
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Marca

Fuji

Corriente Máxima Continua del Colector

360 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1,6 kW

Configuración

Serie

Tipo de Encapsulado

M276

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Dimensiones

108 x 62 x 30.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric


Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S


IGBT discretos y módulos, Fuji Electric


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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