Módulo IGBT, 2MBi300VH-120-50, N-Canal, 360 A, 1.200 V, M276, 7-Pines

La imagen representada puede no ser la del producto

No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.

Producto Alternativo

Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.

Código RS:
747-1099
Nº ref. fabric.:
2MBi300VH-120-50
Fabricante:
Fuji
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Fuji

Corriente Máxima Continua del Colector

360 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1,6 kW

Tipo de Encapsulado

M276

Configuración

Serie

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Dimensiones

108 x 62 x 30.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric


Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S


IGBT discretos y módulos, Fuji Electric


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados