onsemi IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 124-1336
- Nº ref. fabric.:
- FGH40N60SMD
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
108,66 €
(exc. IVA)
131,49 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 3,622 € | 108,66 € |
| 150 - 270 | 3,321 € | 99,63 € |
| 300 + | 3,238 € | 97,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-1336
- Nº ref. fabric.:
- FGH40N60SMD
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 349W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Field Stop | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Altura | 4.82mm | |
| Anchura | 20.82 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 349W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Field Stop | ||
Longitud 15.87mm | ||
Altura 4.82mm | ||
Anchura 20.82 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- onsemi IGBT Tipo N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante
- onsemi IGBT 80 A TO-247, 3 pines Orificio pasante
- onsemi IGBT Tipo N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- onsemi AEC-Q101 Parada de campo IGBT 80 A TO-247 25 ns
- onsemi AEC-Q101 Parada de campo IGBT Tipo N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante, 25 ns
- Infineon IGBT 80 A TO-247, 3 pines Orificio pasante