Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM400GB12E4, Tipo N-Canal, 616 A, 1200 V, SEMITRANS, 7 pines Terminal roscado, 12 kHz 2

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

262,41 €

(exc. IVA)

317,52 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 66 Envío desde el 12 de marzo de 2026
  • Disponible(s) 12 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 1262,41 €
2 - 4237,75 €
5 +227,25 €

*precio indicativo

Código RS:
125-1114
Nº ref. fabric.:
SKM400GB12E4
Fabricante:
Semikron Danfoss
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Semikron Danfoss

Corriente continua máxima de colector Ic

616A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Encapsulado

SEMITRANS

Tipo de montaje

Terminal roscado

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

7

Velocidad de conmutación

12kHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.05V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

SKM400GB12E4

Longitud

106.4mm

Anchura

61.4 mm

Altura

30.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
SK

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto

Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz

Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados