Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM200GB12E4, Tipo N-Canal, 313 A, 1200 V, SEMITRANS, 7 pines Panel, 12 kHz 2
- Código RS:
- 687-4973
- Nº ref. fabric.:
- SKM200GB12E4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 687-4973
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- SKM200GB12E4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 313A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | SEMITRANS | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 7 | |
| Velocidad de conmutación | 12kHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | SKM200GB12E4 | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 30mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 313A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado SEMITRANS | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 7 | ||
Velocidad de conmutación 12kHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie SKM200GB12E4 | ||
Longitud 106.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 30mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos IGBT dobles
Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.
Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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