Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM75GB12T4, Tipo N-Canal, 115 A, 1200 V, SEMITRANS, 7 pines Panel, 20 kHz 2

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

84,85 €

(exc. IVA)

102,67 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 4 unidad(es) más para enviar a partir del 25 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 184,85 €
2 - 480,52 €
5 - 976,19 €
10 - 1967,88 €
20 +62,45 €

*precio indicativo

Código RS:
687-4961
Nº ref. fabric.:
SKM75GB12T4
Fabricante:
Semikron Danfoss
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Semikron Danfoss

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

115A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Encapsulado

SEMITRANS

Tipo de montaje

Panel

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

7

Velocidad de conmutación

20kHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Serie

SKM75GB12T4

Certificaciones y estándares

No

Altura

30.1mm

Longitud

94mm

Anchura

34 mm

Estándar de automoción

No

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto

Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz

Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados