Toshiba Transistor bipolar de puerta aislada, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- Código RS:
- 168-7766
- Nº ref. fabric.:
- GT30J121
- Fabricante:
- Toshiba
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
157,15 €
(exc. IVA)
190,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 3,143 € | 157,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-7766
- Nº ref. fabric.:
- GT30J121
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | Transistor bipolar de puerta aislada | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.45V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto Transistor bipolar de puerta aislada | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.45V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- Toshiba Transistor bipolar de puerta aislada N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- Toshiba Transistor 2SC5200N(S1S) 15 A 230 V NPN TO-3P, 3 pines Simple
- Toshiba Transistor 2SA1943N(S1S) -15 A -230 V PnP TO-3P, 3 pines Simple
- Toshiba IGBT N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante, Orificio pasante
- STMicroelectronics Transistor bipolar 30 A 600 V TO-3PF, 3 pines
- Toshiba IGBT discreto N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- STMicroelectronics Transistor bipolar STTH30M06SPF 30 A 600 V TO-3PF, 3 pines
- Microchip Transistor bipolar JANTX2N2905A 600 mA 60 V PnP TO-39, 3 pines