Toshiba IGBT discreto, GT50JR22, Tipo N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 796-5064
- Nº ref. fabric.:
- GT50JR22
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 796-5064
- Nº ref. fabric.:
- GT50JR22
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tipo de producto | IGBT discreto | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.2V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | 6.5th generation | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tipo de producto IGBT discreto | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.2V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie 6.5th generation | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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