Toshiba IGBT discreto, Tipo N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
168-7768
Nº ref. fabric.:
GT50JR22
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tipo de producto

IGBT discreto

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Encapsulado

TO-3P

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.2V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

6.5th generation

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP

Discretos IGBT, Toshiba


IGBT discretos y módulos, Toshiba


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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