Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 168-7763
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 168-7763
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de colector (Ic) | 15 A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) | 600 V | |
| Encapsulado | TO-220SIS | |
| Número de pines | 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de colector (Ic) 15 A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) 600 V | ||
Encapsulado TO-220SIS | ||
Número de pines 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
- COO (País de Origen):
- JP
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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