IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
- Código RS:
- 168-7763
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 168-7763
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 15 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220SIS | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 100kHz | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10 x 4.5 x 15mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 15 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±25V | ||
Disipación de Potencia Máxima 30 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-220SIS | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 100kHz | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10 x 4.5 x 15mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.