onsemi Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PTG, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, Q0BOOST, 22 pines Superficie 2

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Código RS:
195-8769
Nº ref. fabric.:
NXH100B120H3Q0PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Disipación de potencia máxima Pd

186W

Encapsulado

Q0BOOST

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

22

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Longitud

66.2mm

Anchura

32.8 mm

Serie

NXH100B120H3Q0

Certificaciones y estándares

No

Altura

11.9mm

Estándar de automoción

No

El NXH100B120H3Q0 es un módulo de alimentación que consta de una etapa elevadora doble compuesta por dos IGBT de 50A/1200 V, dos diodos SiC de 20A/1.200 V y dos diodos en antiparalelo de 25 A/1.600 V para los IGBT. Se incluyen dos rectificadores de derivación adicionales de 25 A/1.600 V que se emplean para el límite de corriente de entrada. Se incluye un termistor en placa.

Especificaciones de IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2.180 μJ

IGBT rápido con VCE(SAT) baja para lograr una alta eficacia

Diodos en antiparalelo y de derivación de 25 A/1600 V

Diodos de derivación de VF baja para una excelente eficacia en modo de derivación

Especificación de rectificador SiC: VF = 1,44 V

Diodo SiC para conmutación de alta velocidad

Opciones de contacto de soldadura y contacto de encaje a presión disponibles

• Montaje flexible

Aplicaciones

Etapa de impulso MPPT

Etapa De Sobrealimentación Del Cargador De Batería

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