Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Código RS:
- 245-6990
- Nº ref. fabric.:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 245-6990
- Nº ref. fabric.:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Disipación de Potencia Máxima | 69 W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Tipo de Encapsulado | Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Disipación de Potencia Máxima 69 W | ||
Número de transistores 2 | ||
Tipo de Encapsulado Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) | ||
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 20 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 80 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
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