onsemi Módulo IGBT, Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2
- Código RS:
- 245-6981
- Nº ref. fabric.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 245-6981
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- NXH40B120MNQ0SNG
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 118W | |
| Encapsulado | Q0PACK - Case 180AJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 55.2mm | |
| Serie | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Altura | 13.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 118W | ||
Encapsulado Q0PACK - Case 180AJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 55.2mm | ||
Serie NXH40B120MNQ0SNG | ||
Altura 13.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 40 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 40 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de impulso Q1 DE 3 canales ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de impulso doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 40 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1200 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Este dispositivo no contiene plomo, libre de halógenos/BFR y es compatible con RoHS
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