onsemi Módulo IGBT, Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2
- Código RS:
- 245-6981
- Nº ref. fabric.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bandeja de 24 unidades)*
1.964,352 €
(exc. IVA)
2.376,864 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 10 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 24 + | 81,848 € | 1.964,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 245-6981
- Nº ref. fabric.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 118W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | Q0PACK - Case 180AJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 13.9mm | |
| Serie | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 32.8 mm | |
| Longitud | 55.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 118W | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado Q0PACK - Case 180AJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 13.9mm | ||
Serie NXH40B120MNQ0SNG | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 32.8 mm | ||
Longitud 55.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 40 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 40 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de impulso Q1 DE 3 canales ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de impulso doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 40 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1200 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Este dispositivo no contiene plomo, libre de halógenos/BFR y es compatible con RoHS
Enlaces relacionados
- Módulo IGBT Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Módulo IGBT Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Módulo IGBT 61 A Contactos de soldadura Case 180AJ (sin plomo y sin haluros) 2
- Módulo IGBT 75 A Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4
- Módulo IGBT 101 A Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Módulo IGBT 409 A. 93x47 (contacto DE SOLDADURA) (sin plomo/sin haluros), PIM44 4
- Módulo IGBT 303 A. Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4
- Módulo IGBT 303 A. Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4
