Módulo IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

80,63 €

(exc. IVA)

97,56 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 11 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 980,63 €
10 +69,50 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
245-6982
Nº ref. fabric.:
NXH40B120MNQ0SNG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Número de transistores

2

Disipación de Potencia Máxima

118 W

Tipo de Encapsulado

Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros)

Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 40 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 40 A chapado en níquel


El módulo DE potencia de impulso Q1 DE 3 canales ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de impulso doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.

MOSFET de SiC de 1200 V y 40 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1200 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Este dispositivo no contiene plomo, libre de halógenos/BFR y es compatible con RoHS

Enlaces relacionados