Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2

Código RS:: 245-6991
Nº ref. fabric.:: NXH80B120MNQ0SNG
Fabricante:: onsemi

Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2

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Precio Unidad

84,82 €

(exc. IVA)

102,63 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 1	84,82 €
2 - 3	83,03 €
4 - 7	81,34 €
8 - 11	79,56 €
12 +	77,78 €

Código RS:: 245-6991
Nº ref. fabric.:: NXH80B120MNQ0SNG
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet - NXH80B120MNQ0SNG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 20 A chapado en níquel

El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.

MOSFET de SiC de 1200 V y 80 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Disipación de Potencia Máxima	69 W
Número de transistores	2
Tipo de Encapsulado	Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros)