onsemi Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Case 180AJ Superficie 2
- Código RS:
- 245-6991
- Nº ref. fabric.:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 245-6991
- Nº ref. fabric.:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | Q0BOOST - Case 180AJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 13.9mm | |
| Longitud | 55.2mm | |
| Serie | NXH80B120MNQ0SNG | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado Q0BOOST - Case 180AJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 13.9mm | ||
Longitud 55.2mm | ||
Serie NXH80B120MNQ0SNG | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 20 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 80 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Enlaces relacionados
- onsemi Módulo IGBT, Q0BOOST - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT Caja 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT 1200 V, Caja 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT Q2BOOST - Case 180BR Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT Q2BOOST - Case 180BG Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT 50 A Q0BOOST, 22 pines Superficie 2
