Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STG, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

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Código RS:
195-8770
Nº ref. fabric.:
NXH100B120H3Q0STG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

186 W

Configuración

Doble

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Configuración de transistor

Doble

Dimensiones

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

El NXH100B120H3Q0 es un módulo de alimentación que consta de una etapa elevadora doble compuesta por dos IGBT de 50A/1200 V, dos diodos SiC de 20A/1.200 V y dos diodos en antiparalelo de 25 A/1.600 V para los IGBT. Se incluyen dos rectificadores de derivación adicionales de 25 A/1.600 V que se emplean para el límite de corriente de entrada. Se incluye un termistor en placa.

Especificaciones de IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2.180 μJ
IGBT rápido con VCE(SAT) baja para lograr una alta eficacia
Diodos en antiparalelo y de derivación de 25 A/1600 V
Diodos de derivación de VF baja para una excelente eficacia en modo de derivación
Especificación de rectificador SiC: VF = 1,44 V
Diodo SiC para conmutación de alta velocidad
Opciones de contacto de soldadura y contacto de encaje a presión disponibles
• Montaje flexible
Aplicaciones
Etapa de impulso MPPT
Etapa De Sobrealimentación Del Cargador De Batería

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