onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2BOOST - Case 180BG Superficie 2

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Código RS:
245-6985
Nº ref. fabric.:
NXH450B100H4Q2F2PG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Número de transistores

2

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Encapsulado

Q2BOOST - Case 180BG

Tipo de montaje

Superficie

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

12.3mm

Longitud

93.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

47.3 mm

Serie

NXH450B100H4Q2F2PG

Estándar de automoción

No

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de impulso simétrico de tres canales híbrido de Si o SiC. Cada canal contiene dos IGBT de 1000 V, 150 A, dos diodos SiC de 1200 V y 30 A y dos diodos de derivación de 1600 V y 30 A. El módulo contiene un termistor NTC.

La tecnología híbrida de SiC o silicio maximiza la densidad de potencia

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

Diseño inductivo bajo

Opciones de encaje a presión y contacto de soldadura

Este dispositivo no contiene plomo, no contiene halógenos y es compatible con RoHS

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