onsemi Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2SG, 1000 V, Q2BOOST-PIM53 Superficie 6

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
245-6971
Nº ref. fabric.:
NXH300B100H4Q2F2SG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Número de transistores

6

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Encapsulado

Q2BOOST-PIM53

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

47.3 mm

Longitud

93.1mm

Altura

17.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

NXH300B100H4Q2F2SG

Estándar de automoción

No

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de potencia integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodo SiC de 1200 V.

Trench muy eficiente con tecnología Field Stop

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia

Diseño inductivo bajo

3 canal en encapsulado Q2BOOST

Estos son dispositivos sin plomo

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