Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2P1G, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4

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Código RS:
245-6973
Nº ref. fabric.:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

303 A.

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.000 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

592 W

Número de transistores

4

Tipo de Encapsulado

Q2PACK (sin plomo/sin haluros)

Módulo híbrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I de 1.000 V, IGBT de 350 A, 1200 V, diodo SiC de 100 A, contactos de encaje a presión con encapsulado Q2


El módulo NPC Q2Pack de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.

Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
Altura de encapsulado baja
Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos y son conformes con RoHS

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