onsemi Módulo IGBT, NXH400N100H4Q2F2PG, 1000 V, PIM42 Superficie 4
- Código RS:
- 245-6978
- Nº ref. fabric.:
- NXH400N100H4Q2F2PG
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 245-6978
- Nº ref. fabric.:
- NXH400N100H4Q2F2PG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1000V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 959W | |
| Encapsulado | PIM42 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 93.1mm | |
| Altura | 12.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | NXH400N100H4Q2F2PG | |
| Anchura | 47.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1000V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 959W | ||
Encapsulado PIM42 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 93.1mm | ||
Altura 12.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie NXH400N100H4Q2F2PG | ||
Anchura 47.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo NPC Q2Pack de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.
Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
Altura de encapsulado baja
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos, sin BFR y son conformes con RoHS
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