onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2PACK Superficie 4
- Código RS:
- 245-6975
- Nº ref. fabric.:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 245-6975
- Nº ref. fabric.:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1000V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 592W | |
| Número de transistores | 4 | |
| Encapsulado | Q2PACK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 47.3 mm | |
| Altura | 12.3mm | |
| Longitud | 93.1mm | |
| Serie | NXH350N100H4Q2F2S1G | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1000V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 592W | ||
Número de transistores 4 | ||
Encapsulado Q2PACK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 47.3 mm | ||
Altura 12.3mm | ||
Longitud 93.1mm | ||
Serie NXH350N100H4Q2F2S1G | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo híbrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I de 1.000 V, IGBT de 350 A, 1200 V, diodo SiC de 100 A, contactos de soldadura con encapsulado Q2
El módulo DE paquete DE Q2 NPC de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.
Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
Altura de encapsulado baja
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos, sin BFR y son conformes con RoHS
Enlaces relacionados
- Módulo IGBT 303 A. Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4
- Módulo IGBT 303 A. Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4
- Módulo IGBT 409 A. 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (sin plomo/sin haluros), PIM42 4
- Módulo IGBT 409 A. 93x47 (contacto DE SOLDADURA) (sin plomo/sin haluros), PIM44 4
- Módulo IGBT 101 A Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Módulo IGBT 75 A Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4
- Módulo IGBT Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Módulo IGBT Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2