Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4

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Código RS:
245-6975
Nº ref. fabric.:
NXH350N100H4Q2F2S1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

303 A.

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.000 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

4

Disipación de Potencia Máxima

592 W

Tipo de Encapsulado

Q2PACK (sin plomo/sin haluros)

Módulo híbrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I de 1.000 V, IGBT de 350 A, 1200 V, diodo SiC de 100 A, contactos de soldadura con encapsulado Q2


El módulo DE paquete DE Q2 NPC de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.

Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
Altura de encapsulado baja
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos, sin BFR y son conformes con RoHS

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