onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2PACK Superficie 4

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
245-6975
Nº ref. fabric.:
NXH350N100H4Q2F2S1G
Fabricante:
onsemi
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Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Número de transistores

4

Disipación de potencia máxima Pd

592W

Encapsulado

Q2PACK

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

93.1mm

Serie

NXH350N100H4Q2F2S1G

Altura

12.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Módulo híbrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I de 1.000 V, IGBT de 350 A, 1200 V, diodo SiC de 100 A, contactos de soldadura con encapsulado Q2


El módulo DE paquete DE Q2 NPC de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.

Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia

Diseño inductivo bajo

Altura de encapsulado baja

Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos, sin BFR y son conformes con RoHS

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