onsemi Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, 1000 V, Q2PACK Superficie 4
- Código RS:
- 245-6976
- Nº ref. fabric.:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 245-6976
- Nº ref. fabric.:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1000V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 592W | |
| Encapsulado | Q2PACK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 12.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | NXH350N100H4Q2F2S1G | |
| Anchura | 47.3 mm | |
| Longitud | 93.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1000V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 592W | ||
Encapsulado Q2PACK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 12.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie NXH350N100H4Q2F2S1G | ||
Anchura 47.3 mm | ||
Longitud 93.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo híbrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I de 1.000 V, IGBT de 350 A, 1200 V, diodo SiC de 100 A, contactos de soldadura con encapsulado Q2
El módulo DE paquete DE Q2 NPC de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.
Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
Altura de encapsulado baja
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos, sin BFR y son conformes con RoHS
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