Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin
- Código RS:
- 245-6969
- Nº ref. fabric.:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 245-6969
- Nº ref. fabric.:
- NXH300B100H4Q2F2PG
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 73 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.000 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 6 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 79 W | |
| Tipo de Encapsulado | 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin haluros), Q2BOOST - PIM53 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 73 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.000 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 6 | ||
Disipación de Potencia Máxima 79 W | ||
Tipo de Encapsulado 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin haluros), Q2BOOST - PIM53 mm | ||
EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de potencia integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodo SiC de 1200 V.
Trench muy eficiente con tecnología de parada de campo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
3 canal en encapsulado Q2BOOST
Son dispositivos sin plomo
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
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