onsemi Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2PG, 1000 V, Q2BOOST - Case 180BG Superficie 2

Ver todo IGBT
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
245-6986
Nº ref. fabric.:
NXH450B100H4Q2F2PG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Número de transistores

2

Encapsulado

Q2BOOST - Case 180BG

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

NXH450B100H4Q2F2PG

Altura

12.3mm

Longitud

93.1mm

Anchura

47.3 mm

Estándar de automoción

No

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de impulso simétrico de tres canales híbrido de Si o SiC. Cada canal contiene dos IGBT de 1000 V, 150 A, dos diodos SiC de 1200 V y 30 A y dos diodos de derivación de 1600 V y 30 A. El módulo contiene un termistor NTC.

La tecnología híbrida de SiC o silicio maximiza la densidad de potencia

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

Diseño inductivo bajo

Opciones de encaje a presión y contacto de soldadura

Este dispositivo no contiene plomo, no contiene halógenos y es compatible con RoHS

Enlaces relacionados