Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, 101 A, 1.000 V, Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Código RS:
- 245-6989
- Nº ref. fabric.:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- Fabricante:
- onsemi
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- 245-6989
- Nº ref. fabric.:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 101 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.000 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 79 W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Tipo de Encapsulado | Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 101 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.000 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 79 W | ||
Número de transistores 2 | ||
Tipo de Encapsulado Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) | ||
EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de impulso simétrico de tres canales híbrido de Si o SiC. Cada canal contiene dos IGBT de 1000 V, 150 A, dos diodos SiC de 1200 V y 30 A y dos diodos de derivación de 1600 V y 30 A. El módulo contiene un termistor NTC.
La tecnología híbrida de SiC o silicio maximiza la densidad de potencia
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
Diseño inductivo bajo
Opciones de encaje a presión y contacto de soldadura
Este dispositivo no contiene plomo, no contiene halógenos y es compatible con RoHS
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
Diseño inductivo bajo
Opciones de encaje a presión y contacto de soldadura
Este dispositivo no contiene plomo, no contiene halógenos y es compatible con RoHS
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