Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2SG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (contacto DE SOLDADURA) (contactos de soldadura sin plomo y sin

Ver todo IGBT

Subtotal (1 bandeja de 36 unidades)*

4.502,988 €

(exc. IVA)

5.448,60 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 36 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bandeja*
36 +125,083 €4.502,99 €

*precio indicativo

Código RS:
245-6970
Nº ref. fabric.:
NXH300B100H4Q2F2SG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

73 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.000 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

79 W

Número de transistores

6

Tipo de Encapsulado

93x47 (contacto DE SOLDADURA) (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros), Q2BOOST - PIM53

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de potencia integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodo SiC de 1200 V.

Trench muy eficiente con tecnología Field Stop
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
3 canal en encapsulado Q2BOOST
Estos son dispositivos sin plomo

Enlaces relacionados