onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2BOOST-PIM53 Superficie 6
- Código RS:
- 245-6970
- Nº ref. fabric.:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 245-6970
- Nº ref. fabric.:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1000V | |
| Número de transistores | 6 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Encapsulado | Q2BOOST-PIM53 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 17.6mm | |
| Longitud | 93.1mm | |
| Serie | NXH300B100H4Q2F2SG | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1000V | ||
Número de transistores 6 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Encapsulado Q2BOOST-PIM53 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 17.6mm | ||
Longitud 93.1mm | ||
Serie NXH300B100H4Q2F2SG | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de potencia integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodo SiC de 1200 V.
Trench muy eficiente con tecnología Field Stop
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia
Diseño inductivo bajo
3 canal en encapsulado Q2BOOST
Estos son dispositivos sin plomo
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