onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2BOOST-PIM53 Superficie 6

Ver todo IGBT
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
245-6968
Nº ref. fabric.:
NXH300B100H4Q2F2PG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Número de transistores

6

Encapsulado

Q2BOOST-PIM53

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

17.7mm

Serie

NXH300B100H4Q2F2PG

Longitud

93.1mm

Anchura

47.3 mm

Estándar de automoción

No

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de potencia integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodo SiC de 1200 V.

Trench muy eficiente con tecnología de parada de campo

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia

Diseño inductivo bajo

3 canal en encapsulado Q2BOOST

Son dispositivos sin plomo

Enlaces relacionados