onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2BOOST - Case 180BR Superficie 2

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Código RS:
245-6987
Nº ref. fabric.:
NXH450B100H4Q2F2SG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Número de transistores

2

Encapsulado

Q2BOOST - Case 180BR

Tipo de montaje

Superficie

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

47.3 mm

Longitud

93.1mm

Altura

12.3mm

Serie

NXH450B100H4Q2F2SG

Estándar de automoción

No

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de impulso simétrico de tres canales híbrido de Si o SiC. Cada canal contiene dos IGBT de 1000 V, 150 A, dos diodos SiC de 1200 V y 30 A y dos diodos de derivación de 1600 V y 30 A. El módulo contiene un termistor NTC.

La tecnología híbrida de SiC o silicio maximiza la densidad de potencia

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

Diseño inductivo bajo

Opciones de encaje a presión y contacto de soldadura

Este dispositivo no contiene plomo, no contiene halógenos y es compatible con RoHS

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