onsemi Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2P1G, 1000 V, Q2PACK Superficie 4

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Código RS:
245-6974
Nº ref. fabric.:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1000V

Disipación de potencia máxima Pd

592W

Número de transistores

4

Encapsulado

Q2PACK

Tipo de montaje

Superficie

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

12.3mm

Longitud

93.1mm

Anchura

47.3 mm

Serie

NXH350N100H4Q2F2P1G

Estándar de automoción

No

Módulo híbrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I de 1.000 V, IGBT de 350 A, 1200 V, diodo SiC de 100 A, contactos de encaje a presión con encapsulado Q2


El módulo NPC Q2Pack de tres niveles ON Semiconductor es un módulo de alimentación integrado de alta densidad que combina IGBT de alto rendimiento con diodos antiparalelos resistentes.

Zanja extremadamente eficiente con tecnología de parada de campo

La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema

El diseño del módulo ofrece alta densidad de potencia

Diseño inductivo bajo

Altura de encapsulado baja

Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos y son conformes con RoHS

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