onsemi Módulo IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, 1200 V, Q0PACK - Case 180AB Superficie 4

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
245-6993
Nº ref. fabric.:
NXH80T120L3Q0S3G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Número de transistores

4

Encapsulado

Q0PACK - Case 180AB

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

NXH80T120L3Q0S3G

Anchura

32.8 mm

Altura

13.9mm

Longitud

55.2mm

Estándar de automoción

No

El módulo ON Semiconductor Q0PACK es un módulo de alimentación que contiene una etapa de inversor de tres niveles con fijación de punto neutro tipo T. Los IGBT de zanja de parada de campo integrados y los diodos de recuperación rápida proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.

Baja pérdida de conmutación

Bajo VCESAT

Encapsulado compacto de 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm

Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado

Opciones con contactos soldables y termistor de contactos de encaje a presión

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