Módulo IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, 75 A, 1.200 V, Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4
- Código RS:
- 245-6993
- Nº ref. fabric.:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Fabricante:
- onsemi
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 188 W | |
| Número de transistores | 4 | |
| Tipo de Encapsulado | Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 188 W | ||
Número de transistores 4 | ||
Tipo de Encapsulado Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) | ||
El módulo ON Semiconductor Q0PACK es un módulo de alimentación que contiene una etapa de inversor de tres niveles con fijación de punto neutro tipo T. Los IGBT de zanja de parada de campo integrados y los diodos de recuperación rápida proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
Baja pérdida de conmutación
Bajo VCESAT
Encapsulado compacto de 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Opciones con contactos soldables y termistor de contactos de encaje a presión
Bajo VCESAT
Encapsulado compacto de 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Opciones con contactos soldables y termistor de contactos de encaje a presión
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