onsemi Módulo IGBT, 1200 V, Caja 180AJ Superficie 2

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Código RS:
245-6963
Nº ref. fabric.:
NXH100B120H3Q0SG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

186W

Número de transistores

2

Encapsulado

Caja 180AJ

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

55.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

32.8 mm

Serie

NXH100B120H3Q0SG

Altura

13.9mm

Estándar de automoción

No

El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los IGBT de zanja de parada de campo y diodos SiC integrados proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.

IGBT de parada en campo Ultra de 1200 V.

Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja

Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.

Diseño inductivo bajo

Contactos soldables o contactos de encaje a presión

Opciones de termistor con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado

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