Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2

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Código RS:
245-6961
Nº ref. fabric.:
NXH100B120H3Q0PG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

61 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

186 W

Número de transistores

2

Tipo de Encapsulado

Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros)

El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los IGBT de zanja de parada de campo y diodos SiC integrados proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.

IGBT de parada en campo Ultra de 1200 V.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Diseño inductivo bajo
Contactos soldables o contactos de encaje a presión
Opciones de termistor con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado

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