Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2
- Código RS:
- 245-6962
- Nº ref. fabric.:
- NXH100B120H3Q0PG
- Fabricante:
- onsemi
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 61 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 186 W | |
| Tipo de Encapsulado | Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 61 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de Potencia Máxima 186 W | ||
Tipo de Encapsulado Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) | ||
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los IGBT de zanja de parada de campo y diodos SiC integrados proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
IGBT de parada en campo Ultra de 1200 V.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Diseño inductivo bajo
Contactos soldables o contactos de encaje a presión
Opciones de termistor con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Diseño inductivo bajo
Contactos soldables o contactos de encaje a presión
Opciones de termistor con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
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