STMicroelectronics IGBT, STGWA50HP65FB2, Tipo N-Canal, 86 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- Código RS:
- 204-3944
- Nº ref. fabric.:
- STGWA50HP65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
14,54 €
(exc. IVA)
17,595 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 540 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,908 € | 14,54 € |
| 50 - 120 | 2,65 € | 13,25 € |
| 125 + | 2,208 € | 11,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-3944
- Nº ref. fabric.:
- STGWA50HP65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 86A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 272W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 86A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 272W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie STG | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El IGBT STMicroelectronics serie HB2 de 650 V representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. Un diodo utilizado con fines de protección solo está co-encapsulado en antiparalelo con el IGBT. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.
Temperatura de conexión máxima de 175 °C.
Diodo de protección encapsulado
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo
Enlaces relacionados
- STMicroelectronics IGBT 86 A TO-247 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 650 V 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT Tipo N-Canal TO-247, 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT 80 A TO-247, 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT 80 A TO-247 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 50 A TO-247 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 60 A TO-247 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 30 A TO-247 1 MHz